RF 트랜지스터 및 부품
광대역 고성능 신호증폭기
통신 및 방산용 고효율 고출력 신호 증폭기
| 부품 번호 | 주파수 대역폭 (MHz) | Ouput Power (W) | Vds (V) | Power Gain (dB) | 사이즈 (mm) | 상황 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 부품 번호WG10-100-220P | 주파수 대역폭 (MHz)10~100 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)50 | Power Gain (dB)>59 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG10-225-370P | 주파수 대역폭 (MHz)10~225 | Ouput Power (W)370 | Vds (V)48 | Power Gain (dB)>61 | 사이즈 (mm)330*280*60 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG60-225-220P | 주파수 대역폭 (MHz)60~225 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG175-525-220P | 주파수 대역폭 (MHz)175~525 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG175-525-370P | 주파수 대역폭 (MHz)175~525 | Ouput Power (W)370 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>61 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG300-450-110P | 주파수 대역폭 (MHz)300~450 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG300-450-185P | 주파수 대역폭 (MHz)300~450 | Ouput Power (W)185 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>58 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG475-825-220P | 주파수 대역폭 (MHz)475~825 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG475-825-405P | 주파수 대역폭 (MHz)475~825 | Ouput Power (W)405 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>61 | 사이즈 (mm)330*280*60 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG775-1250-220P | 주파수 대역폭 (MHz)775~1250 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)270*180*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG775-1250-405P | 주파수 대역폭 (MHz)775~1250 | Ouput Power (W)405 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>61 | 사이즈 (mm)330*280*60 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG850-1000-110P | 주파수 대역폭 (MHz)850~1000 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG850-1000-205P | 주파수 대역폭 (MHz)850~1000 | Ouput Power (W)205 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1000-1410-110P | 주파수 대역폭 (MHz)1000~1410 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1000-1410-205P | 주파수 대역폭 (MHz)1000~1410 | Ouput Power (W)205 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1550-1800-110P | 주파수 대역폭 (MHz)1550~1800 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1550-1800-205P | 주파수 대역폭 (MHz)1550~1800 | Ouput Power (W)205 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1700-1910-110P | 주파수 대역폭 (MHz)1700~1910 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1700-1910-205P | 주파수 대역폭 (MHz)1700~1910 | Ouput Power (W)205 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1890-2525-110P | 주파수 대역폭 (MHz)1890~2525 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG1890-2525-220P | 주파수 대역폭 (MHz)1890~2525 | Ouput Power (W)205 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG2475-2720-110P | 주파수 대역폭 (MHz)2475~2720 | Ouput Power (W)110 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>56 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG2475-2720-220P | 주파수 대역폭 (MHz)2475~2720 | Ouput Power (W)220 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>59 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG5000-6000-50P | 주파수 대역폭 (MHz)5000~6000 | Ouput Power (W)50 | Vds (V)50 | Power Gain (dB))>53 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG5000-6000-85P | 주파수 대역폭 (MHz)5000~6000 | Ouput Power (W)65 | Vds (V)48 | Power Gain (dB))>55 | 사이즈 (mm)330*180*30 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG9200-9600-300P | 주파수 대역폭 (MHz)9200~9600 | Ouput Power (W)300 | Vds (V)40 | Power Gain (dB))>55 | 사이즈 (mm)220*150*41 | 상황Run(양산중) |
광대역 고성능 신호증폭기
RF Energy용 고효율 증폭기
| 부품 번호 | 주파수 대역폭 (MHz) | Ouput Power (W) | Vds (V) | Efficiency (%) | 사이즈 (mm) | 상황 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 부품 번호WG2400-2500-140P | 주파수 대역폭 (MHz)2400~2500 | Ouput Power (W)140 | Vds (V)48 | Efficiency (%)62 | 사이즈 (mm)110*800*25 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG2400-2500-250P | 주파수 대역폭 (MHz)2400~2500 | Ouput Power (W)250 | Vds (V)48 | Efficiency (%)55 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG2400-2500-500P | 주파수 대역폭 (MHz)2400~2500 | Ouput Power (W)500 | Vds (V)28 | Efficiency (%)51 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG2400-2500-800P | 주파수 대역폭 (MHz)2400~2500 | Ouput Power (W)800 | Vds (V)48 | Efficiency (%)52 | 사이즈 (mm)300*2000*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG900-930-500P | 주파수 대역폭 (MHz)902~928 | Ouput Power (W)500 | Vds (V)28 | Efficiency (%)51 | 사이즈 (mm)270*130*28 | 상황Run(양산중) |
| 부품 번호WG433-434-500P | 주파수 대역폭 (MHz)433~435 | Ouput Power (W)500 | Vds (V)28 | Efficiency (%)51 | 사이즈 (mm)190*110*25 | 상황Run(양산중) |
고성능 증폭 시스템 (통신 및 방산용 고효율 증폭 시스템)
RF Energy용 고효율 증폭기
| 부품 번호 | 주파수 대역폭 (MHz) | Ouput Power (W) | Vds (V) | Efficiency (%) | 사이즈 (mm) | 상황 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 부품 번호WG2000-6000-500S | 주파수 대역폭 (MHz)2000-6000 | Ouput Power (W)500 | Vds (V)100 | Efficiency (%)8 | 사이즈 (mm)483 x 560 x 483 | 상황Sample |
| 부품 번호WG450-550-100S | 주파수 대역폭 (MHz)450-550 | Ouput Power (W)100 | Vds (V)100 | Efficiency (%)20 | 사이즈 (mm)134 x 441 x 560 | 상황Sample |
| 부품 번호WG700-2700-100S | 주파수 대역폭 (MHz)700-2700 | Ouput Power (W)100 | Vds (V)100 | Efficiency (%)20 | 사이즈 (mm)134 x 441 x 560 | 상황Sample |
RF Components Global Partners
- GaN HEMTs
- GaN HEMTsGallium Nitride High Electron Mobility Transistor) GaN is a compound semiconductor with several times the output power capability of GaAs.
- C-band Internally Matched Power GaAs FETs
- C-band(4~8GHz)
GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor)
GaAs is a compound semiconductor with excellent RF performance.
- X,Ku-band Internally Matched Power GaAs FETs
- X-band(8~12GHz) and Ku-band(12~18GHz)
GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor)
GaAs is a compound semiconductor with excellent RF performance.
| MMIC | Transistor and MCM | Typical Package Outline Drawings |
|---|---|---|
| MMICGaN Power Amplifier | Transistor and MCMGaN Pre-matched Transistor | Typical Package Outline Drawings Package for MMIC |
| MMICGaN Power Switch | Transistor and MCMGaN Inter-matched Transistor | Typical Package Outline Drawings Package for Transistor and MCM |
| MMICGaAs Power Amplifier | Transistor and MCMGaN High Gain Power Amplifier | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Low Noise Amplifier | Transistor and MCMGaN Plate Carrier Power Amplifier | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Gain Amplifier | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Phase Shifter / Standard /TTL Driver | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Time Delayer / Standard /TTL Driver | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Digital Attenuator /Standard /TTL Driver | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs FET Switch /Standard /TTL Driver | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Mixer | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |
| MMICGaAs Limiter | Transistor and MCM- | Typical Package Outline Drawings - |